Transistor de efeito de campo MOS BSS84LT1G SOT23 Transistor de canal P
| Número do modelo | BSS84LT1G |
| Atual - | 130mA (Ta) |
| Vgs(th) (Max) | 2V @ 250µA |
| Taxa de Portão | - |
| Capacitância de entrada | 30pF @ 5V |
| Drenar para a Fonte | 50V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia | 225mW (Ta) |
| Rds Ligados (Máx.) | 10 Ohm @ 100mA, 5V |
| Outros nomes | BSS84LT1GOSTR |
Transistor de efeito de campo MOS BSS84LT1G SOT23 Transistor de canal P
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